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更多“已知单总线计算机结构如图9．7所示，其中XR为变址寄存器，EAR为有效地址寄存器，LATCH为暂存器。假设”相关的问题
第1题
说明： (1)ADD X，D指令字中x为变址寄存器XR，D为形式地址。 (2)寄存器的输入和输出均受控制信号控制，如PCi表示PC的输入控制信号，又如MDRo表示MDR的输出控制信号。 (3)凡是需要经过总线实现寄存器之间的传送，需在流程图中注明，如PC→Bus→MAR，相应的控制信号为PCo和MARi。
第2题
已知离散系统结构如图7-14所示。
其中：x(k)=x(k)-x(k-1)，c(k)=1．5c(k-1)-5c(k-2)+4x(k-1)。试确定系统的脉冲传递函数G1(z)和G2(z)并判断系统的稳定性。
第3题
高电平为读，低电平为写)。
已知该机存储器地址空间从0连续编址，其地址空间分配如下：最低8K为系统程序区，由ROM芯片组成;紧接着40K为备用区，暂不连接芯片;而后78K为用户程序和数据空间，用静态RAM芯片组成;最后2K用于I/O设备(与主存统一编址)。现有芯片如下：
SRAM：16K×8位，其中CS：为片选信号，低电平有效，WE：为写控制信号，低电平写，高电平读。
ROM：8K×8位，其中CS：为片选信号，低电平有效，OE：为读出控制，低电平读出有效。
译码器：3―8译码器，输出低电平有效;为使能信号，低电平时译码器功能有效。
其它“与、或”等逻辑门电路自选。
(1)请问该主存需多少SRAM芯片？
(2)试画出主存芯片与CPU的连接逻辑图。
(3)写出各芯片地址分配表。
第5题
已知质量-弹簧-阻尼器系统如图(a)所示，其中质量为mkg，弹簧系数为kN/m，阻尼器系数为μN·s/m，当物体受F=10N的恒力作用时，其位移y(t)的变化如图(b)所示。求m、k和μ的值。
第6题
图7．66(a)所示的RC电路，已知uc(0-)＝0，t＞0时所加电压us(t)的波形如图7．66(b)所示，其中R=1000Ω，C=10uF。试求t＞0时的电容电压uc(t)。
第7题
已知离散系统如图7-24所示。
其中：ZOH为零阶保持器，T=0．25s，当r(t)=2+t时，欲使稳态误差小于0．1，试求K值。
第8题
理想气体经历如图4—6所示循环，其中bc和da为绝热过程。已知Tc=300K，T6=400K。求按此循环工作的热机的效率。
第9题
已知采样系统如图7-16所示，其中T=1s，K=1，
试求：
(1)闭环脉冲传递函数。
(2)判断系统是否稳定。
(3)写出描述系统教学模型的差分方程。
第10题
用力法计算如图5-28(a)所示结构在外荷载、支座沉陷因素作用下的弯矩图，已知△=2cm，各杆的EI=2400kN·m2。
