N沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

A.积累，无

B.耗尽，无

C.反型，有

D.积累，有

放大倍数A_u=u_o/u_i、输入电阻R_i和输出电阻R_o的计算公式。

A.正值，电子

B.正值，空穴

C.负值，电子

D.负值，空穴

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区

B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路

C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高

D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高